MOSFET, N-Canal Nexperia PSMN1R7-30YL,115, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- Código RS:
- 798-2912
- Referência do fabricante:
- PSMN1R7-30YL,115
- Fabricante:
- Nexperia
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 fita de 5 unidades)*
7,82 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 455 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,564 € | 7,82 € |
| 25 + | 1,352 € | 6,76 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 798-2912
- Referência do fabricante:
- PSMN1R7-30YL,115
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-669 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 109W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 77.9nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-669 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 109W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 77.9nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
MOSFET de canal N, hasta 30V
Transistores MOSFET, NXP Semiconductors
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN7R0-30YL,115, VDSS 30 V, ID 76 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN5R0-30YL,115, VDSS 30 V, ID 91 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 91 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 76 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN012-60YS,115, VDSS 60 V, ID 59 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN5R8-40YS,115, VDSS 40 V, ID 90 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN9R5-30YLC,115, VDSS 30 V, ID 44 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines