MOSFET, N-Canal Nexperia PSMN1R2-30YLC,115, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

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Código RS:
798-2906
Referência do fabricante:
PSMN1R2-30YLC,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-669

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.65mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

78nC

Disipación de potencia máxima Pd

215W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.1mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
PH

MOSFET de canal N, hasta 30V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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