MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI7454DDP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 21 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 787-9241
- Referência do fabricante:
- SI7454DDP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
10,48 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 5900 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,048 € | 10,48 € |
| 100 - 240 | 0,996 € | 9,96 € |
| 250 - 490 | 0,838 € | 8,38 € |
| 500 - 990 | 0,681 € | 6,81 € |
| 1000 + | 0,575 € | 5,75 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 787-9241
- Referência do fabricante:
- SI7454DDP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | Si7454DDP | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 47mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.8nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 29.7W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.12mm | |
| Anchura | 5.26 mm | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie Si7454DDP | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 47mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.8nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 29.7W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.12mm | ||
Anchura 5.26 mm | ||
Longitud 6.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 21 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRA06DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRS5100DP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 225 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR462DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 19 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR416DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 27 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR401DP-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 50 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRS5800DP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 265 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRA00DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines