MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 1.37 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- Código RS:
- 780-4767
- Referência do fabricante:
- NTS4101PT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 50 unidades)*
6,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Stock limitado
- Mais 5250 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,128 € | 6,40 € |
| 500 - 950 | 0,11 € | 5,50 € |
| 1000 + | 0,095 € | 4,75 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 780-4767
- Referência do fabricante:
- NTS4101PT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.37A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 329mW | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.37A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 329mW | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 1.37 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 1.3 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTS4173PT1G, VDSS 30 V, ID 1.3 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 50 V, ID 210 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 340 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS 20 V, ID 1 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 6 V, ID 2 A, Mejora, SC-70 de 6 pines