MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal NDC7001C, VDSS 60 V, ID 510 mA, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config.
- Código RS:
- 761-4574
- Referência do fabricante:
- NDC7001C
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 761-4574
- Referência do fabricante:
- NDC7001C
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 510mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 960mW | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 510mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 960mW | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El NDC7001C es un MOSFET de canal N y P dual que incorpora la tecnología DMOS de Semi. DMOs garantiza una conmutación rápida, fiabilidad y resistencia en estado. Estos MOSFETs son un tipo de paquete SOT-23 con 6 pines.
Características y ventajas:
• Tecnología DMOS
• Corriente de saturación alta
• Diseño celular de alta densidad
• Marco de plomo de cobre para una capacidad térmica y eléctrica superior
Los MOSFETs NDC7001C son ideales para:
• Baja tensión
• Corriente baja
• Conmutación
• Fuentes de alimentación
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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