MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal 1 unidade (fornecido em tubo)*

4,96 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 653 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 +4,96 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
761-0317P
Referência do fabricante:
STW30N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

MDmesh M5

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

139mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.75mm

Altura

20.15mm

Anchura

5.15 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics


El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics