MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal PMGD290XN,115, VDSS 20 V, ID 860 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*

2,64 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 5180 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
20 +0,132 €2,64 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
725-8394
Referência do fabricante:
PMGD290XN,115
Fabricante:
Nexperia
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

860mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

Trench MOSFET

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

350mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.72nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

410mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.35 mm

Longitud

2.2mm

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY

MOSFET de canal N doble, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


Links relacionados