MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 36 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 688-6872
Referência do fabricante:: IRF540ZPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 36 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 688-6872
Referência do fabricante:: IRF540ZPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	36A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	27mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	42nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	92W
	Tensión directa Vf	1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	10.54mm
	Altura	8.77mm
	Anchura	4.69 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 36A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 92W
	Tensión directa Vf 1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 10.54mm
	Altura 8.77mm
	Anchura 4.69 mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 36 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V - IRF540ZPBF

Este MOSFET está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas. Capaz de manejar una corriente de drenaje continua máxima de 36 A y una tensión de drenaje-fuente de 100 V, su encapsulado TO-220AB garantiza una disipación del calor y una estabilidad eficaces. Con una disipación de potencia máxima de 92 W, este dispositivo de canal N es especialmente adecuado para tareas exigentes en las industrias eléctrica y mecánica.

Características y ventajas

• Utiliza la tecnología HEXFET para mejorar la eficiencia

• La baja Rds(on) de 26,5mΩ minimiza la pérdida de potencia

• Las rápidas velocidades de conmutación mejoran la eficacia operativa

• Admite el modo de mejora para un rendimiento fiable

• Diseñado para soportar condiciones de avalancha repetitivas

Aplicaciones

• Se utiliza para el control del motor y la gestión de la energía

• Ideal para fuentes de alimentación conmutadas y convertidores

• Adecuado para automóviles que requieren alta eficiencia

• Aplicación en sistemas de automatización industrial

• Eficaz en dispositivos electrónicos que necesitan un rendimiento robusto

¿Qué importancia tiene la baja calificación de Rds(on) en su rendimiento?

El bajo valor de Rds(on) reduce las pérdidas por conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante el funcionamiento. Permite mejorar el rendimiento térmico, que es fundamental en aplicaciones de alta corriente.

¿Cómo afecta la tensión de drenaje-fuente máxima a la fiabilidad operativa?

La tensión nominal de drenaje-fuente de 100 V proporciona un importante margen de seguridad para las aplicaciones, garantizando un funcionamiento fiable en condiciones de tensión variable, evitando así averías.

¿Puede este MOSFET soportar entornos de alta temperatura?

Con una temperatura máxima de funcionamiento de 175 °C, está diseñado para funcionar de forma fiable en condiciones de alta temperatura, lo que lo hace adecuado para los entornos difíciles que se encuentran en las aplicaciones industriales y de automoción.