MOSFET QFET de canal P, Tipo P-Canal onsemi FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2.7 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Informação de stock atualmente indisponível
Opções de embalagem:
Código RS:
671-5118
Referência do fabricante:
FQP3P50
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET QFET de canal P

Tipo de canal

Tipo P

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

500 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

2.7 A

Modo de canal

Mejora

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Número de pines

3

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

-5 V

Altura

9.4 mm

Longitud

10.1 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

4.9 Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

85 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

55 °C

Tipo de montaje

Orificio pasante

Serie

QFET

Certificaciones y estándares

No

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

18 nC

Anchura

4.7 mm

MOSFET de canal P QFET®, Fairchild Semiconductor


Los nuevos MOSFET planares QFET® de FairField Semiconductor utilizan tecnología avanzada y propietaria para ofrecer el mejor rendimiento de funcionamiento de su clase para una amplia gama de aplicaciones, incluidas fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de display de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.

Ofrecen una pérdida de estado encendido reducida mediante la reducción de la resistencia de encendido (RDS(on)), y una pérdida de conmutación reducida mediante la reducción de la carga de puerta (Qg) y la capacitancia de salida (Coss). Al utilizar la tecnología de proceso QFET® avanzada, Fairchild puede ofrecer una cifra de mérito (FOM) mejorada con respecto a los dispositivos MOSFET Planar de la competencia.

Transistores MOSFET, ON Semi


><

Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.

Links relacionados