MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NDT452AP, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

Código RS:: 671-1100
Número do artigo Distrelec:: 304-43-741
Referência do fabricante:: NDT452AP
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NDT452AP, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:: 671-1100
Número do artigo Distrelec:: 304-43-741
Referência do fabricante:: NDT452AP
Fabricante:: onsemi

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SOT-223
	Serie	NDT
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	65mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	22nC
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	3W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	3.56 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.5mm
	Altura	1.6mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SOT-223
	Serie NDT
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC
	Tensión directa Vf -1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 3W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 3.56 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.5mm
	Altura 1.6mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor

La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.

Características y ventajas:

• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión

• Diseño de celdas de alta densidad

• corriente de saturación alta

• conmutación superior

• Gran rendimiento robusto y fiable

• Tecnología DMOS

Aplicaciones:

• Conmutación De Carga

• Convertidor CC/CC

• Protección de la batería

• Control de administración de energía

• Control del motor de CC

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.