MOSFET, Tipo N-Canal onsemi BSS138, VDSS 50 V, ID 220 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

1,45 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 150 unidade(s) pronta(s) para enviar
  • Mais 2200 unidade(s) preparada(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 900,145 €1,45 €
100 - 2400,125 €1,25 €
250 - 4900,108 €1,08 €
500 - 9900,095 €0,95 €
1000 +0,086 €0,86 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
671-0324
Referência do fabricante:
BSS138
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

220mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

50V

Encapsulado

SOT-23

Serie

BSS138

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

360mW

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.3 mm

Altura

0.93mm

Longitud

2.92mm

Estándar de automoción

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor


Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Links relacionados