MOSFET, N-Canal onsemi BSS123LT1G, VDSS 100 V, ID 170 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 545-0135
- Referência do fabricante:
- BSS123LT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Adicione mais 100 para poupar 1,60 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
1,60 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- 1200 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 35.150 unidade(s) para enviar a partir do dia 20 de novembro de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,16 € | 1,60 € | - |
| 100 - 240 | 0,144 € | 1,44 € | 1,60 € |
| 250 + | 0,127 € | 1,27 € | 8,25 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 545-0135
- Referência do fabricante:
- BSS123LT1G
- Fabricante:
- onsemi
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 170mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 160nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 225mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 940μm | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 170mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 160nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 225mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 940μm | ||
Anchura 1.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 170 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi BSS123, VDSS 100 V, ID 170 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal DiodesZetex, VDSS 100 V, ID 170 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal DiodesZetex BSS123TA, VDSS 100 V, ID 170 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS84PH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 170 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines