MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP89H6327XTSA1, VDSS 240 V, ID 350 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

Código RS:: 445-2281
Referência do fabricante:: BSP89H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP89H6327XTSA1, VDSS 240 V, ID 350 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:: 445-2281
Referência do fabricante:: BSP89H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	350mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	240V
	Serie	SIPMOS
	Encapsulado	SOT-223
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	6Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	4.3nC
	Disipación de potencia máxima Pd	1.8W
	Tensión directa Vf	1.1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	3.5 mm
	Longitud	6.5mm
	Altura	1.6mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 240V
	Serie SIPMOS
	Encapsulado SOT-223
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.3nC
	Disipación de potencia máxima Pd 1.8W
	Tensión directa Vf 1.1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 3.5 mm
	Longitud 6.5mm
	Altura 1.6mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

Estado RoHS: Não conforme

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 350 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP89H6327XTSA1

Este MOSFET es un componente clave para aplicaciones electrónicas de alto voltaje, ya que proporciona una capacidad de conmutación eficaz. Utilizando la tecnología de modo de mejora de canal N, es adecuado para la electrónica de automoción e industrial, garantizando un funcionamiento eficaz en diversas condiciones. El encapsulado SOT-223 permite un montaje versátil en superficie, por lo que resulta adecuado para los diseños de circuitos actuales.

Características y ventajas

• Corriente de drenaje continua máxima de 350 mA

• Tensión nominal de drenaje de 240 V para mayor seguridad

• La baja tensión de umbral de puerta mejora la sensibilidad

• Capacidad de disipación de potencia de hasta 1,8 W

• Ideal para aplicaciones de nivel lógico con tiempos de conmutación rápidos

Aplicaciones

• Gestión de la energía en la electrónica del automóvil

• Fuentes de alimentación conmutadas basadas en MOSFET

• Amplificación de señales en circuitos electrónicos

¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento?

Funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, adecuado para diversas condiciones ambientales.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al rendimiento?

Una tensión de umbral de puerta baja permite al MOSFET activarse a tensiones de entrada más bajas, lo que mejora la eficiencia en dispositivos que funcionan con baterías.

¿Qué tipo de montaje es compatible con este dispositivo?

Este componente está diseñado para montaje en superficie en un encapsulado SOT-223, lo que facilita su integración en placas de circuito impreso.

¿Puede soportar corrientes de drenaje pulsadas?

Sí, puede gestionar corrientes de drenaje pulsadas de hasta 1,4 A, lo que ofrece flexibilidad adicional para aplicaciones de potencia de ráfaga.

¿Se puede utilizar con microcontroladores?

Sí, su compatibilidad a nivel lógico permite la interconexión directa con las salidas del microcontrolador para un control eficaz.