MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIJ4819DP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 44.4 A, Mejora, SO-8L de 7 pines
- Código RS:
- 279-9936
- Referência do fabricante:
- SIJ4819DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 4 unidades)*
12,612 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 5992 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 3,153 € | 12,61 € |
| 60 - 96 | 2,863 € | 11,45 € |
| 100 - 236 | 2,548 € | 10,19 € |
| 240 - 996 | 2,493 € | 9,97 € |
| 1000 + | 2,443 € | 9,77 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 279-9936
- Referência do fabricante:
- SIJ4819DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 44.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SIJ | |
| Encapsulado | SO-8L | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0207Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 73.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 65nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.13mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 44.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SIJ | ||
Encapsulado SO-8L | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0207Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 73.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.13mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Menos caída de tensión
Reduce la pérdida de conducción
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIJ4819DP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 44.4 A, Mejora, SO-8L de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJ4108DP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 56.7 A, Mejora, SO-8L de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJ4106DP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 59 A, Mejora, SO-8L de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiJA54ADP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 126 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJ482DP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8L
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4447ADY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 7.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4497DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 36 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIRA99DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 195 A, Mejora, SO-8 de 8 pines