MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4848BDY-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 279-9898
- Referência do fabricante:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
5,77 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 5000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,577 € | 5,77 € |
| 50 - 90 | 0,431 € | 4,31 € |
| 100 - 240 | 0,383 € | 3,83 € |
| 250 - 990 | 0,373 € | 3,73 € |
| 1000 + | 0,367 € | 3,67 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 279-9898
- Referência do fabricante:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SI | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.089Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SI | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.089Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
RDS muy bajo x factor de mérito Qg
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4848BDY-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4190BDY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 17 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4155DY-T1-GE3, VDSS -30 V, ID 13.6 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4151DY-T1-GE3, VDSS -30 V, ID 20.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIRS4301DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 227 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRS5800DP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 265 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiRA74DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 81.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRS5100DP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 225 A, Mejora, SO-8 de 8 pines