STMicroelectronics, Tipo N-Canal SGT65R65AL, VDSS 750 V, ID 25 A, PowerFLAT (5 x 6) HV, Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 275-1318P
- Referência do fabricante:
- SGT65R65AL
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 275-1318P
- Referência do fabricante:
- SGT65R65AL
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Encapsulado | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Encapsulado PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El transistor powerGaN de modo electrónico de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable.
Velocidad de conmutación muy alta
Alta capacidad de gestión de potencia
Capacitancias muy bajas
Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima
Carga de recuperación inversa cero