MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS7734TRLPBF, VDSS 75 V, ID 183 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3031
- Referência do fabricante:
- IRFS7734TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
910,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 29 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,138 € | 910,40 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-3031
- Referência do fabricante:
- IRFS7734TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 183A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 270nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 290W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Lead-Free | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 183A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 270nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 290W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Lead-Free | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de Infineon en un encapsulado D2-Pak está optimizado para la más amplia disponibilidad de los socios de distribución.
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 183 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 75 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon IRF2807ZSTRLPBF, VDSS 75 V, ID 75 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 246 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 128 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 269 A, Mejora, TO-263 de 7 pines