MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6013VND3TL1, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
265-5415
Referência do fabricante:
R6013VND3TL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

R6013VND3 NaN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.3Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

131W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS NaN

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM con una baja resistencia de encendido y encapsulado de alta potencia es adecuado para circuitos de conmutación, aplicaciones de batería de una célula y aplicaciones móviles.

Tiempo de recuperación inverso rápido (trr)

Baja resistencia de encendido

Velocidad de conmutación rápida

Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos

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