MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -55 V, ID -42 A, TO-263
- Código RS:
- 260-5059P
- Referência do fabricante:
- AUIRF4905STRL
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal 10 unidades (fornecido em tira contínua)*
58,90 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 210 unidade(s) para enviar a partir do dia 20 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 10 - 24 | 5,89 € |
| 25 - 49 | 5,77 € |
| 50 - 99 | 5,40 € |
| 100 + | 5,02 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 260-5059P
- Referência do fabricante:
- AUIRF4905STRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 15.88mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 15.88mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal P de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio.
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido muy baja
Conmutación rápida
Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax
