MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 8 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 260-1217
- Referência do fabricante:
- IPP60R065S7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-1217
- Referência do fabricante:
- IPP60R065S7XKSA1
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Anchura | 9.45 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.36mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Anchura 9.45 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon permite el mejor rendimiento de precio para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. CoolMOS S7 cuenta con los valores de Rdson más bajos para un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo de eficiencia energética. CoolMOS S7 está optimizado para aplicaciones de "conmutación estática" y alta corriente. Es ideal para diseños de relés de estado sólido y disyuntores, así como para rectificación de línea en topologías de SMPS e inversores.
Capacidad de corriente de impulso alta
Mayor rendimiento del sistema
Diseño más compacto y sencillo
BOM y/o TCO inferiores durante un tiempo de vida útil prolongado
Resistencia a golpes y vibraciones
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