MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3894
- Referência do fabricante:
- IPP60R160P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3894
- Referência do fabricante:
- IPP60R160P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPP | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPP | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión CoolMOS P7 de 600 V de Infineon es el sucesor de la serie CoolMOS P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia frente a la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la carga de puerta inherentemente baja de la plataforma CoolMOS de 7a generación garantizan su alta eficiencia.
Resistencia de puerta integrada RG
Diodo de cuerpo resistente
Amplio portafolio en encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante
Fácil de usar en entornos de fabricación al evitar que se produzcan fallos ESD
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