MOSFET, N-Canal Infineon IRF7854TRPBF, VDSS 80 V, ID 10 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
257-9322
Referência do fabricante:
IRF7854TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje a fuente de 80 V, corriente de drenaje continua de 10 A - IRF7854TRPBF


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N suministrado en un encapsulado SO-8 de montaje en superficie para conmutación de potencia compacta. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones que requieren una disipación de potencia moderada y bajas pérdidas por conducción. El dispositivo cumple los requisitos RoHS y está diseñado para su uso donde se necesita una conmutación eficiente y resistencia térmica.

Características y ventajas:


• La RDS(on) de 13,4 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La VDS de 80 V permite la conmutación de mayor tensión
• La corriente de drenaje continua de 10 A admite cargas sostenidas
• La carga de puerta típica de 27 nC mejora el control de conmutación
• La disipación de potencia de 2,5 W gestiona el estrés térmico

Aplicaciones


• Adecuado para etapas de accionamiento de motor de DC
• Ideal para la gestión de energía en controles industriales
• Se utiliza con reguladores de conmutación y convertidores
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Adecuado para módulos de potencia compactos de montaje en superficie

¿Qué límites de tensión de puerta se aplican durante el funcionamiento?


El dispositivo admite una tensión de puerta a fuente de hasta 20 V.

¿Qué rango térmico puede tolerar en entornos exigentes?


Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C.

¿Cómo afecta la tensión directa a la conducción en condiciones de diodo de cuerpo?


El diodo de avance muestra aproximadamente 1,3 V durante eventos de conducción.

¿Cuántos contactos y tipo de montaje se utilizan para la implementación de PCB?


Se suministra en un encapsulado SO‐8 de 8 contactos configurado para montaje en superficie.

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