MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ184E-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 430 A, Mejora, PowerPAK (8x8LR) de 8 pines
- Código RS:
- 252-0312
- Referência do fabricante:
- SQJQ184E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 252-0312
- Referência do fabricante:
- SQJQ184E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 430A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8LR) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0014mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 430A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8LR) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0014mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los MOSFET de automoción de Vishay se fabrican en un flujo de proceso dedicado para una robustez estándar. Clasificada con una temperatura de unión máxima de 175 °C, la serie SQ Vishay Siliconix con certificación AEC-Q101 dispone de tecnologías FET de trinchera de canal n y p de baja resistencia de conexión en encapsulados SO sin plomo (Pb) y sin halógenos.
MOSFET de potencia TrenchFET
con certificación AEC-Q101
100 % comprobación Rg y UIS
Altura reducida de 1,9 mm
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