MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -30 V, ID 20.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 252-0243
- Referência do fabricante:
- SI4151DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 252-0243
- Referência do fabricante:
- SI4151DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.01mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5.6W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.01mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5.6W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. El sustrato de MOSFET de canal P contiene electrones y orificios de electrones. Los MOSFET de canal P están conectados a una tensión positiva. Estos MOSFET se encienden cuando la tensión suministrada al terminal de puerta es inferior a la tensión de la fuente.
MOSFET de potencia TrenchFET
100 % comprobación Rg y UIS
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