MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R060C7ATMA1, VDSS 100 V, ID 273 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0593
- Referência do fabricante:
- IPB60R060C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 273A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 273A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
CoolMOS C7 de Infineon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superconexión (SJ) y con las tecnologías de Infineon como pioneras. Esta serie combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con innovación de alta calidad. El C7 de 600 V es la primera tecnología con RDS(on) A por debajo de 1 ohmios*mm². Es adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC de alto rendimiento). Tiene una mayor resistencia MOSFET dv/dt hasta 120 V/ns y mayor eficiencia.
Permite una mayor eficiencia del sistema al reducir las pérdidas de conmutación
Soluciones de mayor densidad de potencia gracias a encapsulados más pequeños
Adecuados para aplicaciones como servidores, telecomunicaciones y solares
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