MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 12 V, ID 10.7 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 246-7558P
- Referência do fabricante:
- DMT68M8LSS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 246-7558P
- Referência do fabricante:
- DMT68M8LSS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.73W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.45mm | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.73W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.45mm | ||
Longitud 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado SO-8. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta. Tiene un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +150 °C.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 60 V. La tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. Ofrece baja resistencia de conexión. Tiene una tensión de umbral de puerta baja Ofrece una puerta protegida contra ESD