MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex DMPH6250SQ-13, VDSS 12 V, ID 2.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

8,225 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 9900 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 - 4750,329 €8,23 €
500 - 9750,238 €5,95 €
1000 - 24750,232 €5,80 €
2500 +0,226 €5,65 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
246-7543
Referência do fabricante:
DMPH6250SQ-13
Fabricante:
DiodesZetex
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.24Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.73W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.9mm

Anchura

1.3 mm

Altura

0.975mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal P, diseñado para cumplir los estrictos requisitos de aplicaciones de automoción. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado SOT23. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Tiene un valor nominal de +175 °C y es ideal para entornos de alta temperatura ambiente. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.

La tensión máxima de drenaje a fuente es de 60 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. Ofrece una resistencia de conexión baja y tiene un valor nominal BVDSS alto para aplicaciones de potencia. Ofrece una baja capacitancia de entrada

Links relacionados