MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN2310UFD-7, VDSS 20 V, ID 0.9 A, Mejora, X1-DFN de 3 pines
- Código RS:
- 246-7511
- Referência do fabricante:
- DMN2310UFD-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 246-7511
- Referência do fabricante:
- DMN2310UFD-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | X1-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 890mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 1.25mm | |
| Altura | 0.53mm | |
| Anchura | 1.25 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado X1-DFN | ||
Serie DMN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 890mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 1.25mm | ||
Altura 0.53mm | ||
Anchura 1.25 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El DiodesZetex es un MOSFET de modo de mejora de canal N doble, diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y al mismo tiempo mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en encapsulado U-DFN1212-3. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 20 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±8 V. Ofrece un tamaño de encapsulado ultrapequeño. Tiene fugas de entrada/salida bajas
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