MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD80R1K2P7ATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, P, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 244-1596
- Referência do fabricante:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-1596
- Referência do fabricante:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | P | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal P | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de 800 V de la serie CoolMOS™ P7 de Infineon marca un nuevo punto de referencia en tecnologías de superunión de 800 V y combina un rendimiento excelente con una facilidad de uso vanguardiardista, resultado de la innovación de tecnología de superunión pionera de Infineon durante más de 18 años.
FOM RDS(on) excelente * Eoss
DPAK RDS(on) excelente
V(GS)th excelente de 3 V
Cartera completamente optimizada
Protección ESD de diodo Zener integrada
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