MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S4L14AATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines, 2
- Código RS:
- 241-9688
- Referência do fabricante:
- IPG20N06S4L14AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
3,81 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 14.995 unidade(s) para enviar a partir do dia 30 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,762 € | 3,81 € |
| 50 - 120 | 0,656 € | 3,28 € |
| 125 - 245 | 0,618 € | 3,09 € |
| 250 - 495 | 0,572 € | 2,86 € |
| 500 + | 0,534 € | 2,67 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 241-9688
- Referência do fabricante:
- IPG20N06S4L14AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | IPG20N06S4L-14A | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie IPG20N06S4L-14A | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOSTM-T2 tiene una tensión de fuente de drenaje (VDS) de 60 V y una corriente de drenaje (ID) de 20 A. Se suministra en encapsulado doble SS08 (PG-TDSON-8). Es posible para inspección óptica automática (AOI).
Nivel lógico de doble canal N - Modo de mejora
Calificación AEC Q101
MSL1 hasta 260° C de reflujo máximo
175° C de temperatura de funcionamiento
Producto ecológico (cumple con la directiva RoHS)
Probado al 100% en Avalancha
Apto para la inspección óptica automática (AOI)
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines, 2
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 60 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUC60N04S6N044ATMA1, VDSS 20 V, ID 60 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET de potencia Infineon, Tipo N-Canal IAUC60N04S6N031HATMA1, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines,
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 100 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 24 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
