MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 381 A, N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 241-9676
- Referência do fabricante:
- BSC146N10LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 241-9676
- Referência do fabricante:
- BSC146N10LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 381A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 381A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de nivel lógico de canal N Infineon OptiMOSTM tiene una tensión de fuente de drenaje (VDS) de 100 V y una corriente de drenaje (ID) de 44 A. Los MOSFET de potencia de nivel lógico son muy adecuados para aplicaciones de carga, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja del dispositivo reduce las pérdidas de conmutación sin afectar a las pérdidas de conducción. Los MOSFET de nivel lógico permiten operaciones a altas frecuencias de conmutación y, gracias a una tensión de umbral de puerta baja, se pueden accionar directamente desde microcontroladores.
Optimizado para SMPS de alto rendimiento, por ejemplo, rec. de sincronización
100 % probado por avalancha
Resistencia térmica superior
Canal N, nivel lógico
Revestimiento de cable sin Pb
Cumple con la normativa RoHS
Libre de halógenos según la norma IEC61249-2-21
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