MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC018NE2LSIATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

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Código RS:
241-9668
Referência do fabricante:
BSC018NE2LSIATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

381A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC0

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N Infineon OptiMOSTM 5 tiene una tensión de fuente de drenaje (VDS) de 25 V y una corriente de drenaje (ID) de 153 A. Su carga de puerta y de salida ultrabaja, junto con la menor resistencia de estado activado en paquetes de tamaño reducido, lo convierten en la mejor opción para los exigentes requisitos de las soluciones de regulación de tensión en servidores, aplicaciones de comunicación de datos y telecomunicaciones. Ahorra costes generales del sistema al reducir el número de fases en los convertidores multifásicos y reducir las pérdidas de potencia y aumentar la eficiencia en todas las condiciones de carga.

Optimizado para convertidores reductores de alto rendimiento

Diodo monolítico integrado tipo schottky

Resistencia de encendido muy baja RDS(on)@VGS = 4,5V

100 % probado por avalancha

Canal N

Calificado según JEDEC1) para aplicaciones de destino

Revestimiento de cable sin Pb

Cumple con la normativa RoHS

libre de halógenos conforme a IEC61249-2-21

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