MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR584DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 239-5390
- Referência do fabricante:
- SiR584DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 239-5390
- Referência do fabricante:
- SiR584DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0039Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83.3W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.15mm | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0039Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83.3W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.15mm | ||
El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET de Vishay tiene una corriente de drenaje de 100 A. Se utiliza en la rectificación síncrona, interruptores de lado primario, convertidores dc/dc e interruptores de accionamiento de motor.
Valor de mérito (FOM) muy bajo RDS x Qg
Ajustado para el mínimo RDS x Qoss FOM
Probado al 100 % Rg y UIS
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