MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R041CFD7ATMA1, VDSS 700 V, ID 50 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 236-3650
- Referência do fabricante:
- IPB65R041CFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
3 322,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 26 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,322 € | 3 322,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 236-3650
- Referência do fabricante:
- IPB65R041CFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de súper unión CoolMOS de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado es la elección perfecta para topologías de alta potencia resonante. Es ideal para aplicaciones industriales, como estaciones de carga de servidores, telecomunicaciones, energía solar y EV, en el que permite mejoras significativas de la eficiencia en comparación con la competencia. Tiene una corriente de drenaje de 50 A.
Excelente resistencia de conmutación dura
Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus
Permite una mayor densidad de potencia
Excelente eficiencia de carga ligera en aplicaciones SMPS industriales
Eficiencia de carga completa mejorada en aplicaciones SMPS industriales
Competitividad de precios en comparación con ofertas alternativas en el mercado
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R041CFD7ATMA1, VDSS 700 V, ID 50 A, N, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 22.4 A, N, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R150CFDATMA2, VDSS 700 V, ID 22.4 A, N, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R155CFD7ATMA1, VDSS 700 V, ID 15 A, N, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R125CFD7ATMA1, VDSS 700 V, ID 19 A, N, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R110CFD7ATMA1, VDSS 700 V, ID 22 A, N, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R090CFD7ATMA1, VDSS 700 V, ID 25 A, P, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 145 A, Mejora, TO-263 de 3 pines