MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISP14EP15LMXTSA1, VDSS 150 V, ID 1.29 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 235-4874
- Referência do fabricante:
- ISP14EP15LMXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
148,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 18 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,148 € | 148,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 235-4874
- Referência do fabricante:
- ISP14EP15LMXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.38Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Anchura | 1.2 mm | |
| Altura | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.38Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.1mm | ||
Anchura 1.2 mm | ||
Altura 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de canal P Infineon OptiMOS™ de 150V V en encapsulado SOT-223 representan la nueva tecnología diseñada para aplicaciones de gestión de batería, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su interfaz sencilla con MCU, conmutación rápida y resistencia a avalancha lo convierten en adecuado para aplicaciones exigentes de alta calidad. Está disponible en el nivel lógico con un amplio rango RDS(ON) y mejora la eficiencia con cargas bajas gracias al bajo QG. Se utiliza en gestión de baterías y automatización industrial.
Ideal para frecuencia de conmutación alta y baja
Robustez de avalancha
Encapsulado de montaje superficial de tamaño estándar del sector
Rendimiento sólido y fiable
Aumento de la seguridad del suministro
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISP14EP15LMXTSA1, VDSS 150 V, ID 1.29 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.17 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines