MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH200N10WF7-2, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- Código RS:
- 234-8896P
- Referência do fabricante:
- STH200N10WF7-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal 10 unidades (fornecido em tira contínua)*
43,30 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 10 - 99 | 4,33 € |
| 100 - 249 | 4,25 € |
| 250 - 499 | 4,18 € |
| 500 + | 4,08 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 234-8896P
- Referência do fabricante:
- STH200N10WF7-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | STH200 | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 340W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 93nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie STH200 | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 340W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 93nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de zanja mejorada que aumenta la capacidad de resistencia al modo lineal y proporciona un SOA más amplio combinado con una resistencia de encendido muy baja. El MOSFET resultante garantiza el mejor equilibrio entre el modo lineal y las operaciones de conmutación.
La mejor capacidad SOA de su clase
Capacidad de sobrecarga de corriente elevada
Resistencia a la conexión extremadamente baja