MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics RF2L36075CF2, VDSS 60 V, B-2, Mejora de 2 pines, config. Simple
- Código RS:
- 230-0088
- Referência do fabricante:
- RF2L36075CF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 230-0088
- Referência do fabricante:
- RF2L36075CF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Frecuencia de Funcionamiento | 3.5 GHz | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | B-2 | |
| Serie | RF2L | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 2 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 19.44 mm | |
| Altura | 3.61mm | |
| Longitud | 20.57mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Ganancia de potencia típica | 12.5dB | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Frecuencia de Funcionamiento 3.5 GHz | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado B-2 | ||
Serie RF2L | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 2 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 19.44 mm | ||
Altura 3.61mm | ||
Longitud 20.57mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Ganancia de potencia típica 12.5dB | ||
El STMicroelectronics RF2L36075CF2 es un transistor LDMOS ajustado internamente de 75 W diseñado para estaciones base WCDMA/PCS/DCS/LTE multicarrier y aplicaciones de radar de banda S en el rango de frecuencia de 3,1 a 3,6 GHz. Se puede utilizar en clase AB, B o C para todos los formatos de modulación de estación base celular típicos.
Operaciones de ganancia lineal y alta eficiencia
Protección ESD integrada
Ajuste de entrada interna para facilitar el uso
Amplio rango de tensión de fuente de puerta positiva y negativa para mejorar el funcionamiento de clase C.
Excelente estabilidad térmica, baja deriva de HCI
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