MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTD360N65S3H, VDSS 650 V, ID 10 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
229-6453
Referência do fabricante:
NTD360N65S3H
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SUPERFET III

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.5nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.39 mm

Altura

6.22mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia, canal N, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK


SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superconexión (SJ) de alta tensión de ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad de dv/dt extrema. En consecuencia, la serie SUPERFET III FAST MOSFET ayuda a minimizar varios sistemas de alimentación y a mejorar la eficiencia del sistema.

Características


• 700 V a TJ = 150 °C

• Carga de puerta ultrabaja (típ. Qg = 17,5 nC)

• Baja capacitancia de salida efectiva (típ. Coss(eff.) = 180 pF)

• Rendimiento de conmutación rápido con diodo de cuerpo robusto

• Probado 100 % para avalancha.

• Compatible con RoHS

• Típ. RDS(on) = 296 m

• Resistencia de puerta interna: 0,9

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