MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTD360N65S3H, VDSS 650 V, ID 10 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 229-6453
- Referência do fabricante:
- NTD360N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
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- NTD360N65S3H
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.22mm | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.22mm | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia, canal N, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superconexión (SJ) de alta tensión de ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad de dv/dt extrema. En consecuencia, la serie SUPERFET III FAST MOSFET ayuda a minimizar varios sistemas de alimentación y a mejorar la eficiencia del sistema.
Características
• 700 V a TJ = 150 °C
• Carga de puerta ultrabaja (típ. Qg = 17,5 nC)
• Baja capacitancia de salida efectiva (típ. Coss(eff.) = 180 pF)
• Rendimiento de conmutación rápido con diodo de cuerpo robusto
• Probado 100 % para avalancha.
• Compatible con RoHS
• Típ. RDS(on) = 296 m
• Resistencia de puerta interna: 0,9
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