MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPC50N04S55R8ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, SuperSO de 8 pines
- Código RS:
- 229-1830
- Referência do fabricante:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 229-1830
- Referência do fabricante:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SuperSO | |
| Serie | IPC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 42W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.25mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SuperSO | ||
Serie IPC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 42W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.25mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
40 V, canal N, 0,9 mΩ máx., MOSFET de automoción, PQNF, OptiMOSTM-6
Infineon presenta su última tecnología MOS de potencia OptiMOSTM6 de 40 V en el encapsulado inalámbrico SS08 de 5 x 6 mm2 con el más alto nivel de calidad y robustez para aplicaciones de automoción. Una cartera de 16 productos (RDSon_max de 0,8 mΩ a 4,4 mΩ aborda toda la gama de aplicaciones desde aplicaciones de baja potencia, por ejemplo, aplicaciones de cuerpo hasta aplicaciones de alta potencia, por ejemplo, EPS) que permite al cliente encontrar el mejor producto para sus aplicaciones.
Todo esto permite el mejor producto de su clase FOM (RDSon x Qg) y rendimiento en el mercado. El nuevo producto SS08 ofrece una corriente nominal continua de 120 A, que es >Un 25 % más alto que el DPAK estándar en casi la mitad de su área de huella.
Además, la nueva generación del encapsulado SS08 permite un rendimiento de conmutación superior y un comportamiento EMI gracias a la muy baja inductancia del encapsulado (inductividad del encapsulado ≈4x inferior frente a los encapsulados tradicionales, por ejemplo, DPAK, D2PAK) mediante el uso de la nueva tecnología de intercontacto de pinza de cobre.
Resumen de las características
•OptiMOSTM - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción
•Canal N - Modo de mejora - Nivel normal
•Calificación AEC Q101
•MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
•Temperatura de funcionamiento de 175 °C
•Producto ecológico (compatible con RoHS)
•100 % probado en avalancha
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