MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR578DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 70.2 A, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
225-9930
Referência do fabricante:
SiR578DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

70.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

N-Channel 150 V

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

92.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.25mm

Altura

5.26mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

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100 % Rg y UIS probados

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