MOSFET ROHM, Tipo P-Canal UT6JC5TCR, VDSS 60 V, ID 2.5 A, DFN, Mejora de 7 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 223-6398
- Referência do fabricante:
- UT6JC5TCR
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
9,63 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 08 de novembro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,385 € | 9,63 € |
| 50 - 75 | 0,378 € | 9,45 € |
| 100 - 225 | 0,269 € | 6,73 € |
| 250 - 975 | 0,264 € | 6,60 € |
| 1000 + | 0,226 € | 5,65 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 223-6398
- Referência do fabricante:
- UT6JC5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2mm | |
| Altura | 650μm | |
| Anchura | 2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2mm | ||
Altura 650μm | ||
Anchura 2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
The ROHM small signal MOSFET has DFN1010-3W package type. It is mainly used for switching circuits, high side loadswitch and relay driver.
Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package
Side wettable Flanks for automated optical solder inspection
AEC-Q101 qualified
Links relacionados
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal UT6JC5TCR, VDSS 60 V, ID 2.5 A, DFN, Mejora de 7 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal UT6JB5TCR, VDSS 40 V, ID 3.5 A, DFN, Mejora de 7 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 7 A, DFN, Mejora de 9 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal HS8MA2TCR1, VDSS 30 V, ID 7 A, DFN, Mejora de 9 pines, 2, config. Doble
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RF9L120BJFRATCR, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, DFN de 7 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RF9G120BJFRATCR, VDSS 40 V, ID 12 A, Mejora, DFN de 7 pines
- MOSFET DiodesZetex, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID -4.5 A, DFN, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo P-Canal PMDXB950UPELZ, VDSS -20 V, ID 500 mA, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config.