MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37.9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

5,74 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 872 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 182,87 €5,74 €
20 - 482,58 €5,16 €
50 - 982,41 €4,82 €
100 - 1982,24 €4,48 €
200 +2,095 €4,19 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
222-4640
Referência do fabricante:
IPA60R099P6XKSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

37.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

99mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie MOS™ P6 de Cool combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.

Mayor resistencia de mosfet dv/dt

Pérdidas extremadamente bajas debido a la muy baja FOM Rdson*QG y Eoss

Resistencia a conmutación muy alta

Compuesto moldeado sin halógenos chapado sin plomo

Links relacionados