MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal SP8M4HZGTB, VDSS 30 V, ID 9 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 222-4382
- Referência do fabricante:
- SP8M4HZGTB
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
14,65 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 2195 unidade(s) a partir do dia 30 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,93 € | 14,65 € |
| 50 - 95 | 2,566 € | 12,83 € |
| 100 - 245 | 2,28 € | 11,40 € |
| 250 - 995 | 2,05 € | 10,25 € |
| 1000 + | 2,008 € | 10,04 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4382
- Referência do fabricante:
- SP8M4HZGTB
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SP8M4 | |
| Encapsulado | SOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 28mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 6 mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SP8M4 | ||
Encapsulado SOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 28mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 6 mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Rohm de grado de automoción SP8M4HZG n con certificación EC-Q101. Los MOSFET NCH+PCH 30V con diodo de protección ESD se incluyen en el encapsulado SOP8. Ideal para aplicaciones de conmutación.
Baja resistencia
Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)
Chapado de cable sin plomo ; En conformidad con RoHS
Certificación AEC-Q101
Links relacionados
- MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 9 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 4.5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 45 V, ID 6 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 40 V, ID 8.5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal SH8JB5TB1, VDSS 40 V, ID 8.5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal SH8JC5TB1, VDSS 60 V, ID 7.5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble