MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN2053UVTQ-7, VDSS 20 V, ID 4.6 A, TSOT-26, Mejora de 6 pines, config. Doble
- Código RS:
- 222-2827
- Referência do fabricante:
- DMN2053UVTQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2827
- Referência do fabricante:
- DMN2053UVTQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Encapsulado | TSOT-26 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.035Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Encapsulado TSOT-26 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.035Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET DiodesZetex de modo de mejora de canal N doble está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Fuga de entrada/salida baja
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