MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMG1012UWQ-7, VDSS 20 V, ID 950 mA, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- Código RS:
- 222-2825
- Referência do fabricante:
- DMG1012UWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2825
- Referência do fabricante:
- DMG1012UWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 950mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMG1012UWQ | |
| Encapsulado | SOT-323 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.29W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 6 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 950mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMG1012UWQ | ||
Encapsulado SOT-323 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.29W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 6 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja resistencia
Baja tensión umbral de compuerta
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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