MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPSA70R2K0P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 5.7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7445
- Referência do fabricante:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7445
- Referência do fabricante:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 17.6W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.38 mm | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Altura | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 17.6W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.38 mm | ||
Longitud 6.6mm | ||
Altura 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Cool MOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La última Cool MOS P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en el mercado de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc. la nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de súper unión de conmutación rápida, combinado con una excelente relación precio/rendimiento y un nivel de facilidad de uso de art. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos.
Pérdidas extremadamente bajas debido al bajo FOMRDS(on)*Qgand RDS(on)*Eoss
Excelente comportamiento térmico
Diodo de protección ESD integrado
Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Validación del productoa cc.JEDEC Standard
Tecnología de coste competitivo
Temperatura más baja
Alta es Drugedness
Permite frecuencias de conmutación más altas de gainsat de eficiencia
Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors
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