MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 9.4 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 tubo de 75 unidades)*

16,05 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 1425 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
75 +0,214 €16,05 €

*preço indicativo

Código RS:
220-7442
Referência do fabricante:
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-251

Serie

CoolMOS P7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

25W

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2.38 mm

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

6.1mm

Estándar de automoción

No

Infineon ha desarrollado la serie MOSFET de súper unión MOS P7 700V Cool para servir a las tendencias actuales y, especialmente, a las del futuro en topologías de devolución de vuelo. Se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo ganancias de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de súper unión utilizadas hoy en día. Al combinar las opiniones de los clientes con más de 20 años de experiencia en MOSFET de súper unión, el P7 Cool MOS 700V permite la mejor adaptación para aplicaciones de destino en términos de:

FOM R R DS(on) x E OSS extremadamente bajo; Bajar Q g, E on y E OFF

Tecnología de alto rendimiento

Pérdidas de conmutación bajas (E OSS)

Muy eficaz

Excelente comportamiento térmico

Permite conmutación de alta velocidad

Diodo Zener de protección integrada

Optimizado V (GS)the de 3V con tolerancia muy estrecha de ±0,5 V.

Cartera finamente graduada

Tecnología de coste competitivo

Hasta un 2,4 % de ganancia de eficiencia y una temperatura del dispositivo 12K más baja En comparación con la tecnología C6

Mayor ganancia de eficiencia a mayor velocidad de conmutación

Admite menos tamaño magnético con costes de BOM más bajos

Alta resistencia ESD hasta HBM de nivel de clase 2

Fácil de manejar y diseño

Habilitador para diseños de densidad de potencia y factores de forma más pequeños

Excelente elección para seleccionar el producto que mejor se ajuste

Links relacionados