MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 236 A, Mejora, TDFN de 8 pines
- Código RS:
- 214-8904
- Referência do fabricante:
- NTMTSC002N10MCTXG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
6 144,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 01 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,048 € | 6 144,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-8904
- Referência do fabricante:
- NTMTSC002N10MCTXG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 236A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TDFN | |
| Serie | NTMTS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 89nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.9W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 8.5 mm | |
| Longitud | 8.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 236A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TDFN | ||
Serie NTMTS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 89nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.9W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 8.5 mm | ||
Longitud 8.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
on Semiconductor serie NTMTS es un MOSFET de canal N que tiene una tensión de drenaje a fuente de 100 V. Normalmente se utiliza rectificación síncrona y conversión dc-dc.
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMTSC002N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 236 A, Mejora, TDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 267 A, Mejora, TDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMTSC1D6N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 267 A, Mejora, TDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 16 A, N, TDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 174 A, N, TDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, N, TDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 30 A, N, TDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMT095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, N, TDFN de 8 pines