MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 88 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4458
- Referência do fabricante:
- IRFS4410TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 800 + | 1,69 € | 1 352,00 € |
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- Código RS:
- 214-4458
- Referência do fabricante:
- IRFS4410TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 88A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 88A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este Infineon HEXFET Power MOSFET tiene una resistencia dv/dt dinámica, de avalancha y puerta mejorada. Es adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS.
No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21
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