MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4419
- Referência do fabricante:
- IPP80R280P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
95,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 500 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,904 € | 95,20 € |
| 100 - 200 | 1,808 € | 90,40 € |
| 250 + | 1,77 € | 88,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-4419
- Referência do fabricante:
- IPP80R280P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 101W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Anchura | 15.93mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 101W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.2mm | ||
Anchura 15.93mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Esta serie de MOSFET Infineon 800V Cool MOS P7 de súper unión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en cuanto a rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno sobre la marcha, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial.
Cuenta con una cartera totalmente optimizada
Tiene un coste de montaje más bajo
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP80R280P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon SPP17N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon SPA17N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN80R280P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80R290C3AATMA2, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines